我的订单
会员中心 
在线咨询
0755-83328606
SIEMENS A G SPW11N60S5
- 收藏
- 对比
SPW11N60S5
2239-SPW11N60S5
无类别的
--
大陆
立即发货
SPW11N60S5 datasheet pdf and Unclassified product details from SIEMENS A G stock available at utmel
1最小包装量--
请发送询价，我们将立即回复。
在线咨询
SPW11N60S5详情
SIEMENS A G SPW11N60S5重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
ISOLATED
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
11A
漏极-源极导通最大电阻
0.38Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
22A
DS 击穿电压-最小值
600V
雪崩能量等级（Eas）
340 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
SPW11N60S5拓展信息
公司资质
哦! 它是空的。