3DD200详情
SiTime 3DD200重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
3DD200
Part Life Cycle Code
接触制造商
Ihs Manufacturer
INCHANGE SEMICONDUCTOR CO LTD
Package Description
FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Risk Rank
5.74
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
METAL
Package Shape
ROUND
Package Style
FLANGE MOUNT
端子位置
BOTTOM
终端形式
PIN/PEG
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
O-MBFM-P2
配置
SINGLE
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
JEDEC-95代码
TO-3
最大耗散功率(Abs)
30 W
集电极电流-最大值(IC)
3 A
最小直流增益(hFE)
30
集电极-发射器电压-最大值
100 V
VCEsat-最大值
1.5 V
最大下降时间 (tf)
1000 ns
3DD200拓展信息








哦! 它是空的。