3N166详情
SiTime 3N166重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
NO
终端数量
6
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
3N166
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
CALOGIC LLC
Part Package Code
TO-99
Package Description
CYLINDRICAL, O-MBCY-W6
Risk Rank
5.38
Drain Current-Max (ID)
0.05 A
Number of Elements
2
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
METAL
Package Shape
ROUND
Package Style
CYLINDRICAL
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
VERY HIGH INPUT IMPEDANCE
HTS代码
8541.21.00.95
端子位置
BOTTOM
终端形式
WIRE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
引脚数量
6
JESD-30代码
O-MBCY-W6
资历状况
不合格
配置
COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
SUBSTRATE
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
P-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-99
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.05 A
漏极-源极导通最大电阻
300 Ω
DS 击穿电压-最小值
30 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
0.3 W
反馈上限-最大值 (Crss)
0.7 pF
3N166拓展信息








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