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SiTime 3N166

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型号

3N166

品牌

SiTime

utmel 编号

2285-3N166

商品类别

集成电路(IC)

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans MOSFET P-CH 30V 0.05A 4-Pin TO-99

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3N166 SiTime Trans MOSFET P-CH 30V 0.05A 4-Pin TO-99

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3N166详情

SiTime 3N166重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    6

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Manufacturer Part Number

    3N166

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    CALOGIC LLC

  • Part Package Code

    TO-99

  • Package Description

    CYLINDRICAL, O-MBCY-W6

  • Risk Rank

    5.38

  • Drain Current-Max (ID)

    0.05 A

  • Number of Elements

    2

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Package Body Material

    METAL

  • Package Shape

    ROUND

  • Package Style

    CYLINDRICAL

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • JESD-609代码

    e0

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin/Lead (Sn/Pb)

  • 附加功能

    VERY HIGH INPUT IMPEDANCE

  • HTS代码

    8541.21.00.95

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    WIRE

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    compliant

  • 引脚数量

    6

  • JESD-30代码

    O-MBCY-W6

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    SUBSTRATE

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 极性/通道类型

    P-CHANNEL

  • JEDEC-95代码

    TO-99

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    0.05 A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    300 Ω

  • DS 击穿电压-最小值

    30 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    0.3 W

  • 反馈上限-最大值 (Crss)

    0.7 pF

0个相似型号

3N166拓展信息

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