SiTime SIT1602AI-12-XXE-65.000000

安装类型

通孔

包装/外壳

i4-Pac™-5

供应商器件包装

ISOPLUS i4-PAC™

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

38A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

--

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

HiPerFET™

包装

Tube

零件状态

活跃

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

70 mOhm @ 20A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.9V @ 2.7mA

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

250nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

600V

Vgs（最大值）

±20V

场效应管特性

超级交界处