SiTime SIT3372AC-1B3-33NX135.000000

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件包装

D-Pak

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

81A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

厂商

International Rectifier

Power Dissipation (Max)

63W (Tc)

Product Status

活跃

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

系列

HEXFET®

尺寸/尺寸

0.126 L x 0.098 W (3.20mm x 2.50mm)

类型

VCXO

技术

MOSFET (Metal Oxide)

电压 - 供电

3.3V

频率

135 MHz

频率稳定性

±50ppm

输出量

LVPECL

功能

-

基本谐振器

MEMS

最大电流源

92mA

电流 - 电源（禁用）（最大值）

-

扩频带宽

-

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

5.7mOhm @ 25A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.35V @ 25µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1470 pF @ 13 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

15 nC @ 4.5 V

漏源电压 (Vdss)

25 V

Vgs（最大值）

±20V

绝对牵引范围 (APR)

±345ppm

场效应管特性

-

座位高度(最大)

0.035 (0.90mm)