注：图像仅供参考，请参阅产品规格

技术文档

PDF文档列表

SiTime SIT3372AC-1E3-28NZ200.000000T

Name: SIT3372AC-1E3-28NZ200.000000T
Brand: SiTime
SKU: 2285-SIT3372AC-1E3-28NZ200.000000T
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

收藏
对比

型号

SIT3372AC-1E3-28NZ200.000000T

品牌

SiTime

utmel 编号

2285-SIT3372AC-1E3-28NZ200.000000T

商品类别

无类别的

封装

TO-247-4

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Ultra-low Jitter Differential VCXO 200MHz 2.8V 50ppm 6-Pin Surface Mount T/R

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表

SIT3372AC-1E3-28NZ200.000000T SiTime Ultra-low Jitter Differential VCXO 200MHz 2.8V 50ppm 6-Pin Surface Mount T/R

请发送询价，我们将立即回复。

库存:

请发送询价，我们将立即回复。

* 联系人姓名

* 电话

* 邮箱

* 公司名称

* 数量

在线咨询

SIT3372AC-1E3-28NZ200.000000T详情

技术参数

SiTime SIT3372AC-1E3-28NZ200.000000T重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
包装/外壳

TO-247-4
供应商器件包装

TO-247-4L
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

35A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

15V
Power Dissipation (Max)

113.5W (Tc)
操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)
系列

C3M™
包装

Tube
零件状态

活跃
技术

SiCFET (Silicon Carbide)
场效应管类型

N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

78 mOhm @ 20A, 15V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.5V @ 5mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

660pF @ 600V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

35nC @ 15V
漏源电压 (Vdss)

1000V
Vgs（最大值）

+19V, -8V
场效应管特性

--

0个相似型号

SIT3372AC-1E3-28NZ200.000000T拓展信息

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z