SiTime SIT3372AC-4B2-28NX10.000000

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

供应商器件包装

PG-TO220-3-1

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

60A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

厂商

International Rectifier

Power Dissipation (Max)

83W (Tc)

Product Status

Obsolete

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

系列

HEXFET®

尺寸/尺寸

0.126 L x 0.098 W (3.20mm x 2.50mm)

类型

VCXO

技术

MOSFET (Metal Oxide)

电压 - 供电

2.8V

频率

10 MHz

频率稳定性

±25ppm

输出量

HCSL

功能

-

基本谐振器

MEMS

最大电流源

97mA

电流 - 电源（禁用）（最大值）

-

扩频带宽

-

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

9mOhm @ 36A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.7V @ 50µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2230 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

66 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

60 V

Vgs（最大值）

±20V

绝对牵引范围 (APR)

±370ppm

场效应管特性

-

座位高度(最大)

0.035 (0.90mm)