SiTime SIT3372AC-4E2-28NC25.000000

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商器件包装

PG-TO263-3

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

42A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

International Rectifier

Power Dissipation (Max)

200W (Tc)

Product Status

活跃

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

Automotive, AEC-Q101, HEXFET®

尺寸/尺寸

0.276 L x 0.197 W (7.00mm x 5.00mm)

类型

VCXO

技术

MOSFET (Metal Oxide)

电压 - 供电

2.8V

频率

25 MHz

频率稳定性

±25ppm

输出量

HCSL

功能

-

基本谐振器

MEMS

最大电流源

97mA

电流 - 电源（禁用）（最大值）

-

扩频带宽

-

场效应管类型

P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

20mOhm @ 42A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3500 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

180 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

55 V

Vgs（最大值）

±20V

绝对牵引范围 (APR)

-

场效应管特性

-

座位高度(最大)

0.035 (0.90mm)