SiTime SIT3373AI-4E2-28NG491.520000

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件包装

D-Pak

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

50A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

厂商

International Rectifier

Power Dissipation (Max)

143W (Tc)

Product Status

活跃

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

系列

HEXFET®

尺寸/尺寸

0.276 L x 0.197 W (7.00mm x 5.00mm)

类型

VCXO

技术

MOSFET (Metal Oxide)

电压 - 供电

2.8V

频率

491.52 MHz

频率稳定性

±25ppm

输出量

HCSL

功能

-

基本谐振器

MEMS

扩频带宽

-

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

6.8mOhm @ 50A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 100µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3779 pF @ 50 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

49 nC @ 4.5 V

漏源电压 (Vdss)

60 V

Vgs（最大值）

±16V

绝对牵引范围 (APR)

±120ppm

场效应管特性

-

座位高度(最大)

0.039 (1.00mm)