SiTime SIT5356AECFQ-28VT-16.367667

安装类型

表面贴装

包装/外壳

3-XFDFN

供应商器件包装

DFN1006B-3

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

350mA (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

厂商

恩智浦半导体

Power Dissipation (Max)

350mW (Ta), 3.1W (Tc)

Product Status

活跃

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

TrenchMOS™

尺寸/尺寸

0.197 L x 0.126 W (5.00mm x 3.20mm)

类型

VCTCXO

技术

MOSFET (Metal Oxide)

电压 - 供电

2.8V

频率

16.367667 MHz

频率稳定性

±100ppb

输出量

削波正弦波

功能

-

基本谐振器

MEMS

扩频带宽

-

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.8Ohm @ 200mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.1V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

23.6 pF @ 10 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

1 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

60 V

Vgs（最大值）

±20V

绝对牵引范围 (APR)

±6.25ppm

场效应管特性

-

座位高度(最大)

0.031 (0.80mm)