SiTime SIT8208AC-21-28S-35.840000

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

供应商器件包装

TO-262

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

120A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

International Rectifier

Power Dissipation (Max)

163W (Tc)

Product Status

活跃

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

系列

HEXFET®

尺寸/尺寸

0.126 L x 0.098 W (3.20mm x 2.50mm)

类型

XO (Standard)

技术

MOSFET (Metal Oxide)

电压 - 供电

2.8V

频率

35.84 MHz

频率稳定性

±20ppm

输出量

LVCMOS, LVTTL

功能

Standby (Power Down)

基本谐振器

MEMS

最大电流源

33mA

扩频带宽

-

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.3mOhm @ 100A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.9V @ 100µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

5193 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

161 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

40 V

Vgs（最大值）

±20V

绝对牵引范围 (APR)

-

场效应管特性

-

座位高度(最大)

0.031 (0.80mm)

评级结果

-