SiTime SIT8208AI-8F-28E-62.500000X

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

供应商器件包装

I-Pak

Package

Tube

Base Product Number

PHU10

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

75A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

厂商

NXP USA Inc.

Power Dissipation (Max)

187W (Tc)

Product Status

Obsolete

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

系列

TrenchMOS™

包装

Tape & Reel (TR)

尺寸/尺寸

0.276 L x 0.197 W (7.00mm x 5.00mm)

零件状态

活跃

类型

XO (Standard)

技术

MOSFET (Metal Oxide)

电压 - 供电

2.8V

频率

62.5 MHz

频率稳定性

±10ppm

输出量

LVCMOS, LVTTL

功能

Enable/Disable

基本谐振器

MEMS

最大电流源

33mA

电流 - 电源（禁用）（最大值）

31mA

扩频带宽

-

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

6mOhm @ 25A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1375 pF @ 12 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

16.3 nC @ 4.5 V

漏源电压 (Vdss)

25 V

Vgs（最大值）

±20V

绝对牵引范围 (APR)

-

场效应管特性

-

座位高度(最大)

0.039 (1.00mm)

评级结果

-