SMC Corporation AP1001BSQ

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Non-Compliant

Package Description

HALOGEN AND LEAD FREE, GREENFET PACKAGE-2

Package Style

CHIP CARRIER

Package Body Material

UNSPECIFIED

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

AP1001BSQ

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Advanced Power Electronics Corp

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

接触制造商

Ihs Manufacturer

ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP

Risk Rank

5.7

Drain Current-Max (ID)

15 A

容差

5 %

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

温度系数

200 ppm/°C

电阻

180 kΩ

最高工作温度

155 °C

最小工作温度

-55 °C

组成

厚膜

子类别

FET 通用电源

额定功率

125 mW

最大功率耗散

125 mW

端子位置

BOTTOM

终端形式

无铅

引脚数量

2

JESD-30代码

R-XBCC-N2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

15 A

漏极-源极导通最大电阻

0.006 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

120 A

DS 击穿电压-最小值

25 V

雪崩能量等级（Eas）

28.8 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

34 W

特征

Automotive AEC-Q200

宽度

1.2446 mm

高度

508 µm

长度

2.0066 mm

达到SVHC

compliant

无铅

含铅