SMC Corporation B110L

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

供应商器件包装

8-SO

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

12A (Ta)

厂商

International Rectifier

Power Dissipation (Max)

2.5W (Ta)

Product Status

活跃

RoHS

Non-Compliant

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

HEXFET®

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

9.4mOhm @ 12A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.9V @ 100µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1560 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

39 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

60 V

Vgs（最大值）

±20V

场效应管特性

-