SMC Corporation CDS1G125-500
- 收藏
- 对比
CDS1G125-500详情
SMC Corporation CDS1G125-500重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
M111
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
35 V
RoHS
Details
Brand
Advanced Semiconductor, Inc.
Manufacturer
Advanced Semiconductor, Inc.
Mounting Styles
螺钉安装
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Unit Weight
1.304431 oz
DC Collector/Base Gain hfe Min
20
Maximum Operating Temperature
+ 200 C
Transistor Polarity
NPN
Pd - Power Dissipation
270 W
Emitter- Base Voltage VEBO
4 V
包装
Tray
类型
射频双极功率
子类别
Transistors
技术
Si
工作频率
175 MHz
产品类别
射频双极晶体管
晶体管类型
双极电源
连续集电极电流
20 A
产品类别
射频双极晶体管
CDS1G125-500拓展信息








哦! 它是空的。