SMC Diode Solutions S2M0040120K
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S2M0040120K
2301-S2M0040120K
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-247-4
大陆
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MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
1最小包装量--
S2M0040120K详情
SMC Diode Solutions S2M0040120K重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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包装/外壳
TO-247-4
安装类型
通孔
供应商器件包装
TO-247-4
Product Status
活跃
Power Dissipation (Max)
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厂商
SMC 二极管解决方案
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
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Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
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Package
Tube
系列
-
操作温度
-
技术
SiCFET (Silicon Carbide)
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
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不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
-
漏源电压 (Vdss)
1200 V
Vgs(最大值)
-
场效应管特性
-
S2M0040120K拓展信息
SMC Diode Solutions
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SMC DIODE SOLUTIONS
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