Sony Semiconductor SGM2016AP
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SGM2016AP
2436-SGM2016AP
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, M255, 4 PIN
1最小包装量--
SGM2016AP详情
Sony Semiconductor SGM2016AP重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
4
晶体管元件材料
砷化镓
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SONY CORP
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Drain Current-Max (ID)
0.055 A
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铅
附加功能
低噪音
HTS代码
8541.21.00.75
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
unknown
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PDSO-G4
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
DUAL GATE, DEPLETION MODE
箱体转运
SOURCE
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
场效应管技术
半导体金属
反馈上限-最大值 (Crss)
0.04 pF
最高频段
超高频段
环境耗散-最大值
0.15 W
功率增益-最小值(Gp)
17 dB
SGM2016AP拓展信息
Taiwan Semiconductor
Semiconductor Technology Inc
UPI Semiconductor Corp
Semiconductors Inc
Taiwan Semiconductor
Will Semiconductor Ltd
New Jersey Semiconductor Products Inc
Shenzhen SI Semiconductors Co Ltd
Taiwan Semiconductor
New Jersey Semiconductor Products Inc







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