Sony Semiconductor SGM2016AP
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SGM2016AP
2436-SGM2016AP
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, M255, 4 PIN
1最小包装量--
SGM2016AP详情
Sony Semiconductor SGM2016AP重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
4
晶体管元件材料
砷化镓
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SONY CORP
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Drain Current-Max (ID)
0.055 A
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铅
附加功能
低噪音
HTS代码
8541.21.00.75
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
unknown
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PDSO-G4
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
DUAL GATE, DEPLETION MODE
箱体转运
SOURCE
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
场效应管技术
半导体金属
反馈上限-最大值 (Crss)
0.04 pF
最高频段
超高频段
环境耗散-最大值
0.15 W
功率增益-最小值(Gp)
17 dB
SGM2016AP拓展信息
Globaltech Semiconductor Co Ltd
Taiwan Semiconductor
Taiwan Semiconductor
Semiconductors Ltd
Taiwan Semiconductor
Semiconductor Technology Inc
UPI Semiconductor Corp
Semiconductors Inc
Taiwan Semiconductor
Will Semiconductor Ltd







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