AM29DL323GB70EI详情
Spansion AM29DL323GB70EI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
触点镀层
50 microinches Gold Plate
安装类型
Wall - Front Mount - Thru Holes
表面安装
YES
外壳材料
Composite
插入材料
Hard Dielectric
终端数量
48
Contact Sizes
29#16
Service Rating
I
Insert Arrangement
J29
Contact Materials
Copper Alloy
Package Description
TSOP1, TSSOP48,.8,20
Package Style
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
Number of Words Code
2000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
TSSOP48,.8,20
Operating Temperature-Min
-40 °C
Access Time-Max
70 ns
Part Package Code
TSOP1
Risk Rank
5.4
Ihs Manufacturer
ADVANCED MICRO DEVICES INC
Part Life Cycle Code
Transferred
Manufacturer
AMD
Package Shape
RECTANGULAR
Package Code
TSOP1
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3 V
Number of Words
2097152 words
Manufacturer Part Number
AM29DL323GB70EI
Rohs Code
无
Operating Temperature-Max
85 °C
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
3A991.B.1.A
类型
NOR型号
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
HTS代码
8542.32.00.51
子类别
闪存
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
屏蔽/屏蔽
有
功能数量
1
端子间距
0.5 mm
引脚数量
48
JESD-30代码
R-PDSO-G48
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
3.6 V
电源
3/3.3 V
触点样式
Socket
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
2.7 V
密封
Meets IP67
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.045 mA
组织结构
2MX16
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
16
待机电流-最大值
0.000005 A
记忆密度
33554432 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
FLASH
编程电压
3 V
外壳电镀
化学镍
备用内存宽度
8
数据轮询
YES
拨动位
YES
命令用户界面
YES
扇区/尺寸数
8,63
行业规模
8K,64K
准备就绪/忙碌
YES
引导模块
BOTTOM
通用闪存接口
YES
宽度
12 mm
长度
18.4 mm
达到SVHC
unknown
AM29DL323GB70EI拓展信息








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