STMicroelectronics 0KT

表面安装

YES

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

TP0610K-T1-E3

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

VISHAY SILICONIX

Part Package Code

SOT-23

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

Risk Rank

1.44

Samacsys Description

TP0610K-T1-E3, P-channel MOSFET Transistor 0.185 A 60 V, 3-Pin TO-236

Drain Current-Max (ID)

0.185 A

Moisture Sensitivity Levels

1

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

Reflow Temperature-Max (s)

20

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

ESD PROTECTION, LOW THRESHOLD

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

P-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-236

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.185 A

漏极-源极导通最大电阻

6 Ω

DS 击穿电压-最小值

60 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

0.35 W