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STMicroelectronics 2N2369

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型号

2N2369

utmel 编号

2381-2N2369

商品类别

集成电路(IC)

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18

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2N2369 STMicroelectronics Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18

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2N2369详情

STMicroelectronics 2N2369重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Manufacturer Part Number

    2N2369

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    SPC TECHNOLOGY/ MULTICOMP

  • Package Description

    CYLINDRICAL, O-MBCY-W3

  • Risk Rank

    1.41

  • Number of Elements

    1

  • Operating Temperature-Min

    -65 °C

  • Package Body Material

    METAL

  • Package Shape

    ROUND

  • Package Style

    CYLINDRICAL

  • Transition Frequency-Nom (fT)

    500 MHz

  • Turn-off Time-Max (toff)

    18 ns

  • Turn-on Time-Max (ton)

    12 ns

  • hFEMin

    40

  • RoHS

    Compliant

  • 最高工作温度

    150 °C

  • 最小工作温度

    -65 °C

  • 最大功率耗散

    360 mW

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    WIRE

  • Reach合规守则

    unknown

  • JESD-30代码

    O-MBCY-W3

  • 极性

    NPN

  • 配置

    SINGLE

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    360 mW

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 增益带宽积

    650 MHz

  • 极性/通道类型

    NPN

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    15 V

  • 最大集电极电流

    500 mA

  • JEDEC-95代码

    TO-18

  • 集电极基极电压(VCBO)

    40 V

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    4.5 V

  • 集电极电流-最大值(IC)

    0.2 A

  • 最小直流增益(hFE)

    20

  • 集电极-发射器电压-最大值

    15 V

  • 达到SVHC

    无SVHC

0个相似型号

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2N2369拓展信息

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