STMicroelectronics 2STR1230G
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2STR1230G
2381-2STR1230G
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Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
1最小包装量--
2STR1230G详情
STMicroelectronics 2STR1230G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
RoHS
Non-Compliant
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
2STR1230G
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
STMicroelectronics
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
STMICROELECTRONICS
Risk Rank
5.8
JESD-609代码
e3
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - annealed
子类别
其他晶体管
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PDSO-G3
Brand Name
STMicroelectronics
配置
SINGLE
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
最大耗散功率(Abs)
0.5 W
集电极电流-最大值(IC)
1.5 A
最小直流增益(hFE)
80
集电极-发射器电压-最大值
30 V
2STR1230G拓展信息







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