5962F8761101VXA
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STMicroelectronics 5962F8761101VXA

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型号

5962F8761101VXA

utmel 编号

2381-5962F8761101VXA

商品类别

镇流器,逆变器

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

54AC Rad-Hard Triple 3-Input AND Gate CMOS 2V to 6V Solder Dip 14-Pin Flat SMD Strip Pack

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5962F8761101VXA
5962F8761101VXA STMicroelectronics 54AC Rad-Hard Triple 3-Input AND Gate CMOS 2V to 6V Solder Dip 14-Pin Flat SMD Strip Pack

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5962F8761101VXA详情

STMicroelectronics 5962F8761101VXA重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    30 Weeks

  • 表面安装

    YES

  • 引脚数

    14

  • 终端数量

    14

  • RoHS

    Compliant

  • Package Description

    CERAMIC, FP-14

  • Package Style

    FLATPACK

  • Load Capacitance (CL)

    50 pF

  • Package Body Material

    CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

  • Package Equivalence Code

    FL14,.3

  • Operating Temperature-Min

    -55 °C

  • Operating Temperature-Max

    125 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    5962F8761101VXA

  • Supply Voltage-Nom (Vsup)

    3 V

  • Package Code

    DFP

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    STMicroelectronics

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    STMICROELECTRONICS

  • Risk Rank

    5.11

  • Part Package Code

    DFP

  • Prop.

    11 ns

  • Usage Level

    Military grade

  • JESD-609代码

    e0

  • 端子表面处理

    Tin/Lead (Sn/Pb)

  • 最高工作温度

    125 °C

  • 最小工作温度

    -55 °C

  • HTS代码

    8542.39.00.01

  • 子类别

    Gate

  • 技术

    CMOS

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    FLAT

  • 功能数量

    3

  • 端子间距

    1.27 mm

  • Reach合规守则

    compliant

  • 引脚数量

    14

  • JESD-30代码

    R-CDFP-F14

  • 资历状况

    Qualified

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    5.5 V

  • 电源

    3.3/5 V

  • 温度等级

    MILITARY

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    2 V

  • 最大电源电压

    5.5 V

  • 最小电源电压

    2 V

  • 静态电流

    80 µA

  • 家人

    AC

  • 逻辑功能

    AND

  • 输入数量

    3

  • 逻辑IC类型

    AND GATE

  • 最大 I(ol)

    0.024 A

  • 筛选水平

    MIL-PRF-38535 Class V

  • 传播延迟(tpd)

    11 ns

  • 施密特触发器

    NO

  • 总剂量

    300k Rad(Si) V

  • 辐射硬化

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技术文档: STMicroelectronics 5962F8761101VXA.

5962F8761101VXA拓展信息

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