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对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 表面安装 | 终端数量 | 晶体管元件材料 | 外壳材料 | ECCN 代码 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度（摄氏度） | Reach合规守则 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 引脚数量 | JESD-30代码 | 配置 | 操作模式 | 箱体转运 | 晶体管应用 | 极性/通道类型 | JEDEC-95代码 | 漏极-源极导通最大电阻 | 脉冲漏极电流-最大值(IDM) | DS 击穿电压-最小值 | 雪崩能量等级（Eas） | 场效应管技术 | 最大耗散功率(Abs) | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 5N65G-TN3-R | Unisonic Technologies Co Ltd | 数据表 | 12500 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | YES | 2 | SILICON | 1 | 有 | 活跃 | UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD | TO-252 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 4.5 A | 150 °C | PLASTIC/EPOXY | RECTANGULAR | 小概要 | EAR99 | SINGLE | 鸥翼 | 未说明 | compliant | 未说明 | 4 | R-PSSO-G2 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | DRAIN | SWITCHING | N-CHANNEL | TO-252 | 2.5 Ω | 18 A | 650 V | 210 mJ | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 54 W |
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