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STMicroelectronics BUH517

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对比

型号

BUH517

品牌

STMicroelectronics

utmel 编号

2381-BUH517

商品类别

无类别的

封装

--

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

:8A; Current Ic hFE:5mA; Full Power Rating Temperature:25°C; Lead Spacing:5.45mm; Max Power Dissipation Ptot:60W; No. of Pins:3; No. of Transistors:1; Voltage, Isolation:4000V; Voltage, Vcbo:1700V

起订量

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BUH517

BUH517 STMicroelectronics :8A; Current Ic hFE:5mA; Full Power Rating Temperature:25°C; Lead Spacing:5.45mm; Max Power Dissipation Ptot:60W; No. of Pins:3; No. of Transistors:1; Voltage, Isolation:4000V; Voltage, Vcbo:1700V

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BUH517详情

技术参数

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STMicroelectronics BUH517重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

NO
终端数量

3
晶体管元件材料

SILICON
Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Package Style

FLANGE MOUNT
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max

150 °C
Manufacturer Part Number

BUH517
Package Shape

RECTANGULAR
Manufacturer

Inchange Semiconductor Company Ltd
Number of Elements

1
Part Life Cycle Code

接触制造商
Ihs Manufacturer

INCHANGE SEMICONDUCTOR CO LTD
Turn-off Time-Max (toff)

4180 ns
Risk Rank

5.75
端子位置

SINGLE
终端形式

THROUGH-HOLE
Reach合规守则

unknown
JESD-30代码

R-PSFM-T3
配置

SINGLE
晶体管应用

SWITCHING
极性/通道类型

NPN
最大耗散功率(Abs)

60 W
集电极电流-最大值(IC)

8 A
最小直流增益（hFE）

6
集电极-发射器电压-最大值

700 V
VCEsat-最大值

1.5 V
最大下降时间 (tf)

280 ns

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BUH517拓展信息

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