STMicroelectronics BULD1101ET4
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BULD1101ET4
2381-BULD1101ET4
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TRANSISTOR, NPN, DPAK; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:450V; Power Dissipation Pd:35W; DC Collector Current:3A; DC
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BULD1101ET4详情
STMicroelectronics BULD1101ET4重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
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表面安装
YES
材料
Aluminum
形状
Square, Fins
包装冷却
Assorted (BGA, LGA, CPU, ASIC...)
材料处理
蓝色阳极氧化
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
ROHS COMPLIANT, DPAK-3
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
30
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BULD1101ET4
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
STMicroelectronics
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
STMICROELECTRONICS
Risk Rank
5.81
Part Package Code
TO-252
系列
pushPIN™
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
ECCN 代码
EAR99
类型
顶部安装
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
子类别
其他晶体管
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
配置
SINGLE
附着方法
推销
离底高度(鳍的高度)
0.236 (6.00mm)
强制空气流动时的热阻
15.95°C/W @ 100 LFM
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
JEDEC-95代码
TO-252
最大耗散功率(Abs)
35 W
集电极电流-最大值(IC)
3 A
最小直流增益(hFE)
6
集电极-发射器电压-最大值
450 V
自然环境下的热阻
--
温度上升时的耗散功率
--
宽度
1.969 (50.00mm)
长度
1.969 (50.00mm)
直径
--
BULD1101ET4拓展信息







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