STMicroelectronics BUT91
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BUT91
2381-BUT91
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--
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Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin
1最小包装量--
BUT91详情
STMicroelectronics BUT91重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Lead Free Status / RoHS Status
--
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
METAL
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
200 °C
Rohs Code
无
Transition Frequency-Nom (fT)
8 MHz
Manufacturer Part Number
BUT91
Package Shape
ROUND
Manufacturer
STMicroelectronics
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
STMICROELECTRONICS
Turn-off Time-Max (toff)
1500 ns
Risk Rank
5.19
系列
107
JESD-609代码
e0
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
--
ECCN 代码
EAR99
连接器类型
DIP 转电缆
定位的数量
28
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
颜色
Multiple, Ribbon
行数
2
子类别
其他晶体管
端子位置
BOTTOM
终端形式
PIN/PEG
屏蔽/屏蔽
Unshielded
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
触点表面处理
Gold
JESD-30代码
O-MBFM-P2
资历状况
不合格
配置
SINGLE
箱体转运
COLLECTOR
电缆终端
Solder
使用方法
--
间距--连接器
0.079 (2.00mm)
晶体管应用
SWITCHING
间距--电缆
0.039 (1.00mm)
极性/通道类型
NPN
JEDEC-95代码
TO-3
最大耗散功率(Abs)
250 W
集电极电流-最大值(IC)
50 A
最小直流增益(hFE)
20
集电极-发射器电压-最大值
200 V
VCEsat-最大值
1.2 V
环境耗散-最大值
250 W
特征
--
长度
1.00 (304.80mm)
触点表面处理厚度
10.0µin (0.25µm)
BUT91拓展信息







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