STMicroelectronics BUV61
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BUV61
2381-BUV61
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Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin
--最小包装量--
BUV61详情
STMicroelectronics BUV61重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
引脚数
56
RoHS
Compliant
Memory Types
ROM
Collector-Emitter Breakdown Voltage
200 V
最高工作温度
85 °C
最小工作温度
-40 °C
最大功率耗散
250 W
频率
8 MHz
极性
NPN
界面
UART
最大电源电压
5.5 V
最小电源电压
2.5 V
内存大小
4 kB
元素配置
Single
内存大小
256 B
功率耗散
250 W
定时器/计数器的数量
2
集电极发射器电压(VCEO)
200 V
最大集电极电流
50 A
集电极基极电压(VCBO)
300 V
发射极基极电压 (VEBO)
7 V
达到SVHC
无SVHC
无铅
无铅
BUV61拓展信息







哦! 它是空的。