STMicroelectronics BUW49
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BUW49
2381-BUW49
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Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-218, Plastic/Epoxy, 3 Pin
1最小包装量--
BUW49详情
STMicroelectronics BUW49重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
Through Hole, Right Angle
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
175 °C
Rohs Code
无
Transition Frequency-Nom (fT)
8 MHz
Manufacturer Part Number
BUW49
Turn-on Time-Max (ton)
1200 ns
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
STMicroelectronics
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
STMICROELECTRONICS
Turn-off Time-Max (toff)
1350 ns
Risk Rank
5.81
Part Package Code
TO-218
系列
--
包装
Tray
JESD-609代码
e0
零件状态
活跃
终端
Press-Fit
ECCN 代码
EAR99
连接器类型
QSFP28
定位的数量
--
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
子类别
其他晶体管
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
引脚数量
3
触点表面处理
--
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
连接器样式
Cage, Ganged (1 x 3) with Heat Sink
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
JEDEC-95代码
TO-218
最大耗散功率(Abs)
150 W
集电极电流-最大值(IC)
30 A
最小直流增益(hFE)
10
集电极-发射器电压-最大值
80 V
VCEsat-最大值
1.2 V
环境耗散-最大值
150 W
特征
EMI Shielded, Light Pipe
触点表面处理厚度
--
BUW49拓展信息







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