STMicroelectronics BUZ71AFI
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BUZ71AFI
2381-BUZ71AFI
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11 A, 50 V, 0.12 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220
1最小包装量--
BUZ71AFI详情
STMicroelectronics BUZ71AFI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package
Bulk
厂商
Infineon Technologies
Product Status
活跃
Package Description
TO-220, 3 PIN
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
175 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
BUZ71AFI
Turn-on Time-Max (ton)
165 ns
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
STMicroelectronics
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
STMICROELECTRONICS
Turn-off Time-Max (toff)
145 ns
Risk Rank
8.61
Part Package Code
SFM
Drain Current-Max (ID)
11 A
系列
-
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
子类别
FET 通用电源
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-220AB
最大漏极电流 (Abs) (ID)
11 A
漏极-源极导通最大电阻
0.12 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
64 A
DS 击穿电压-最小值
50 V
雪崩能量等级(Eas)
50 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
35 W
反馈上限-最大值 (Crss)
150 pF
环境耗散-最大值
30 W
BUZ71AFI拓展信息







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