STMicroelectronics BZX55A9V1B2
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BZX55A9V1B2详情
STMicroelectronics BZX55A9V1B2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
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表面安装
NO
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
RoHS
Compliant
Package Description
O-LALF-W2
Package Style
长式
Package Body Material
GLASS
Operating Temperature-Min
-55 °C
Reference Voltage-Nom
9.1 V
Operating Temperature-Max
175 °C
Manufacturer Part Number
BZX55A9V1B2
Power Dissipation (Max)
0.5 W
Package Shape
ROUND
Manufacturer
STMicroelectronics
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
STMICROELECTRONICS
Risk Rank
5.18
容差
5 %
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
温度系数
300 ppm/°C
电阻
160 Ω
最高工作温度
275 °C
最小工作温度
-65 °C
组成
Wirewound
HTS代码
8541.10.00.50
最大功率耗散
10 W
技术
ZENER
端子位置
AXIAL
终端形式
WIRE
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
O-LALF-W2
资历状况
不合格
极性
UNIDIRECTIONAL
配置
SINGLE
二极管类型
泽纳电极
箱体转运
ISOLATED
最大电压允差
1%
JEDEC-95代码
DO-35
工作测试电流
5 mA
反向电流-最大值
0.1 µA
电压温度系数
9.1 mV/°C
膝阻抗-最大
50 Ω
宽度
10.0076 mm
长度
48.006 mm
BZX55A9V1B2拓展信息








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