STMicroelectronics ESDA6V1S3

包装/外壳

SO

触点镀层

Gold

底架

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

20

二极管元件材料

SILICON

终端数量

20

Breakdown Voltage / V

6.1 V

Number of Elements

18

Reverse Stand-off Voltage

5.25 V

Voltage Rating (DC)

6.1 V

Package Description

PLASTIC, SO-20

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

3

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

30

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

ESDA6V1S3

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

STMicroelectronics

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

STMICROELECTRONICS

Risk Rank

5.56

Part Package Code

SOD

JESD-609代码

e4

无铅代码

有

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

组成

Zener

附加功能

LOW CAPACITANCE

HTS代码

8541.10.00.50

电容量

120 pF

子类别

瞬态抑制器

额定功率

200 W

技术

AVALANCHE

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

深度

7.6 mm

Reach合规守则

compliant

引脚数量

20

JESD-30代码

R-PDSO-G20

资历状况

不合格

工作电源电压

5.25 V

工作电压

5.25 V

极性

单向

配置

COMMON ANODE, 18 ELEMENTS

通道数量

18

泄漏电流

2 µA

二极管类型

跨压抑制二极管

电源线保护

无

峰值脉冲电流

25 A

最大浪涌电流

25 A

峰值脉冲功率

200 W

方向

单向

测试电流

1 mA

反向击穿电压

6.1 V

最大非代表峰值转速功率Dis

200 W

单向通道数

18

击穿电压-最小值

6.1 V

击穿电压-最大值

7.2 V

最小击穿电压

6.1 V

长度

13 mm

宽度

7.6 mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅