STMicroelectronics IMS2620P-12

表面安装

NO

终端数量

18

Package Style

IN-LINE

Number of Words Code

16000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

DIP18,.3

Access Time-Max

120 ns

Operating Temperature-Max

70 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

IMS2620P-12

Number of Words

16384 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

5 V

Package Code

DIP

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Inmos Corporation

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

INMOS

Risk Rank

5.77

JESD-609代码

e0

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

子类别

DRAMs

技术

MOS

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

端子间距

2.54 mm

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PDIP-T18

资历状况

不合格

电源

5 V

温度等级

COMMERCIAL

电源电流-最大值

0.08 mA

组织结构

16KX4

输出特性

3-STATE

内存宽度

4

记忆密度

65536 bit

I/O类型

COMMON

内存IC类型

OTHER DRAM

刷新周期

256