STMicroelectronics L603C

包装/外壳

PDIP

安装类型

通孔

底架

通孔

引脚数

18

供应商器件包装

18-DIP

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

8

Collector-Emitter Saturation Voltage

2V

Collector-Emitter Breakdown Voltage

90V

包装

Tube

操作温度

-25°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

18

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

逻辑电平兼容

电压 - 额定直流

90V

最大功率耗散

1.8W

端子位置

DUAL

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

400mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

L603

引脚数量

18

资历状况

不合格

极性

NPN

配置

COMPLEX

功率耗散

1.8W

晶体管应用

SWITCHING

晶体管类型

8 NPN Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

90V

最大集电极电流

400mA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

2V @ 500μA, 300mA

最小直流增益（hFE）

1000

连续集电极电流

400mA

VCEsat-最大值

2 V

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅