STMicroelectronics L6491DTR
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L6491DTR
2381-L6491DTR
PMIC - 栅极驱动器
14-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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Gate Drivers Industrial & ASIC
--最小包装量--
L6491DTR详情
STMicroelectronics L6491DTR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
工厂交货时间
12 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
14-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
表面安装
YES
Driver Configuration
Half-Bridge
Logic voltage-VIL, VIH
1.45V 2V
操作温度
-40°C~125°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
14
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8542.39.00.01
电压 - 供电
10V~20V
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
电源电压
15V
端子间距
1.27mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
L6491
JESD-30代码
R-PDSO-G14
资历状况
不合格
电源
15V
输入类型
Non-Inverting
上升/下降时间(Typ)
15ns 15ns
接口IC类型
基于缓冲器或反相器的外设驱动器
信道型
Independent
接通时间
0.12 μs
闸门类型
IGBT, N-Channel MOSFET
峰值输出电流(源极,漏极)
4A 4A
关断时间
0.12 μs
内置保护器
OVER CURRENT; UNDER VOLTAGE
高压侧电压-最大值(自举)
600V
输出电流流向
水槽
长度
8.65mm
座位高度(最大)
1.75mm
宽度
3.9mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
L6491DTR拓展信息











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