L6491DTR
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STMicroelectronics L6491DTR

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型号

L6491DTR

utmel 编号

2381-L6491DTR

商品类别

PMIC - 栅极驱动器

封装

14-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Gate Drivers Industrial & ASIC

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L6491DTR
L6491DTR STMicroelectronics Gate Drivers Industrial & ASIC

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L6491DTR详情

STMicroelectronics L6491DTR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)

  • 工厂交货时间

    12 Weeks

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    14-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

  • 表面安装

    YES

  • Driver Configuration

    Half-Bridge

  • Logic voltage-VIL, VIH

    1.45V 2V

  • 操作温度

    -40°C~125°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    3 (168 Hours)

  • 终止次数

    14

  • ECCN 代码

    EAR99

  • HTS代码

    8542.39.00.01

  • 电压 - 供电

    10V~20V

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • 功能数量

    1

  • 电源电压

    15V

  • 端子间距

    1.27mm

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 基本部件号

    L6491

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G14

  • 资历状况

    不合格

  • 电源

    15V

  • 输入类型

    Non-Inverting

  • 上升/下降时间(Typ)

    15ns 15ns

  • 接口IC类型

    基于缓冲器或反相器的外设驱动器

  • 信道型

    Independent

  • 接通时间

    0.12 μs

  • 闸门类型

    IGBT, N-Channel MOSFET

  • 峰值输出电流(源极,漏极)

    4A 4A

  • 关断时间

    0.12 μs

  • 内置保护器

    OVER CURRENT; UNDER VOLTAGE

  • 高压侧电压-最大值(自举)

    600V

  • 输出电流流向

    水槽

  • 长度

    8.65mm

  • 座位高度(最大)

    1.75mm

  • 宽度

    3.9mm

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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技术文档: STMicroelectronics L6491DTR.

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