STMicroelectronics M29F040B70K6E
- 收藏
- 对比
M29F040B70K6E
2381-M29F040B70K6E
存储器
--
大陆
立即发货

512KX8 FLASH 5V PROM, 70ns, PQCC32, LEAD FREE, PLASTIC, LCC-32
1最小包装量--
M29F040B70K6E详情
STMicroelectronics M29F040B70K6E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
引脚数
32
终端数量
32
Package Description
LEAD FREE, PLASTIC, LCC-32
Package Style
CHIP CARRIER
Number of Words Code
512000
Package Code
QCCJ
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
STMicroelectronics
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
STMICROELECTRONICS
Risk Rank
5.26
Part Package Code
QFJ
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
Number of Words
524288 words
Manufacturer Part Number
M29F040B70K6E
Rohs Code
有
Operating Temperature-Max
85 °C
Access Time-Max
70 ns
Reflow Temperature-Max (s)
40
Operating Temperature-Min
-40 °C
Package Equivalence Code
LDCC32,.5X.6
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
类型
NOR型号
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
HTS代码
8542.32.00.51
子类别
闪存
技术
CMOS
端子位置
QUAD
终端形式
J BEND
峰值回流焊温度(摄氏度)
250
功能数量
1
端子间距
1.27 mm
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PQCC-J32
资历状况
不合格
电源
5 V
温度等级
INDUSTRIAL
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.02 mA
组织结构
512KX8
座位高度-最大
3.56 mm
内存宽度
8
待机电流-最大值
0.0001 A
记忆密度
4194304 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
FLASH
编程电压
5 V
耐力
100000 Write/Erase Cycles
数据轮询
YES
拨动位
YES
电压 - 供电 (最大值)
5.5 V
电压 - 供电 (最小值)
4.5 V
命令用户界面
YES
扇区/尺寸数
8
行业规模
64K
宽度
11.43 mm
长度
13.97 mm
M29F040B70K6E拓展信息
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics







哦! 它是空的。