M29W008AB90N6
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STMicroelectronics M29W008AB90N6

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型号

M29W008AB90N6

utmel 编号

2381-M29W008AB90N6

商品类别

无类别的

封装

0805 (2012 Metric)

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Flash, 1MX8, 90ns, PDSO40

起订量

1最小包装量--

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M29W008AB90N6
M29W008AB90N6 STMicroelectronics Flash, 1MX8, 90ns, PDSO40

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M29W008AB90N6详情

STMicroelectronics M29W008AB90N6重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 包装/外壳

    0805 (2012 Metric)

  • 表面安装

    YES

  • 供应商器件包装

    0805

  • 终端数量

    40

  • Package

    Tape & Reel (TR)

  • 厂商

    KOA Speer Electronics, Inc.

  • Product Status

    活跃

  • RoHS

    Non-Compliant

  • Package Description

    10 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-40

  • Package Style

    SMALL OUTLINE, THIN PROFILE

  • Number of Words Code

    1000000

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Operating Temperature-Min

    -40 °C

  • Access Time-Max

    90 ns

  • Operating Temperature-Max

    85 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    M29W008AB90N6

  • Number of Words

    1048576 words

  • Supply Voltage-Nom (Vsup)

    3 V

  • Package Code

    TSOP1

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Numonyx内存解决方案

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    NUMONYX

  • Risk Rank

    5.28

  • Part Package Code

    TSOP

  • 操作温度

    -55°C ~ 155°C

  • 系列

    SG73S-RT

  • 尺寸/尺寸

    0.079 L x 0.049 W (2.00mm x 1.25mm)

  • 容差

    ±0.5%

  • JESD-609代码

    e0

  • 终止次数

    2

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 温度系数

    ±200ppm/°C

  • 类型

    NOR型号

  • 电阻

    52.3 kOhms

  • 端子表面处理

    Tin/Lead (Sn/Pb)

  • 组成

    厚膜

  • 功率(瓦特)

    0.25W, 1/4W

  • 附加功能

    20 YEARS DATA RETENTION; BOTTOM BOOT BLOCK

  • HTS代码

    8542.32.00.51

  • 技术

    CMOS

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    0.5 mm

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • 引脚数量

    40

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G40

  • 资历状况

    不合格

  • 失败率

    -

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    3.6 V

  • 温度等级

    INDUSTRIAL

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    2.7 V

  • 操作模式

    ASYNCHRONOUS

  • 组织结构

    1MX8

  • 座位高度-最大

    1.2 mm

  • 内存宽度

    8

  • 记忆密度

    8388608 bit

  • 并行/串行

    PARALLEL

  • 内存IC类型

    FLASH

  • 编程电压

    2.7 V

  • 数据保持时间

    20

  • 引导模块

    BOTTOM

  • 特征

    Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant, Pulse Withstanding

  • 座位高度(最大)

    0.024 (0.60mm)

  • 宽度

    10 mm

  • 长度

    18.4 mm

  • 评级结果

    -

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技术文档: STMicroelectronics M29W008AB90N6.

M29W008AB90N6拓展信息

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公司资质

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