STMicroelectronics M29W008EB70N6E
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M29W008EB70N6E
2381-M29W008EB70N6E
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10 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-40
1最小包装量--
M29W008EB70N6E详情
STMicroelectronics M29W008EB70N6E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
40
Access Time-Max
70 ns
Ihs Manufacturer
STMICROELECTRONICS
Manufacturer
STMicroelectronics
Manufacturer Part Number
M29W008EB70N6E
Number of Words
1048576 words
Number of Words Code
1000000
Operating Temperature-Max
85 °C
Operating Temperature-Min
-40 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Code
TSOP1
Package Description
10 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-40
Package Equivalence Code
TSSOP40,.8,20
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
Part Life Cycle Code
Transferred
Part Package Code
TSOP
Reflow Temperature-Max (s)
40
Risk Rank
5.18
Rohs Code
有
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3 V
JESD-609代码
e3/e6
ECCN 代码
EAR99
类型
NOR型号
端子表面处理
MATTE TIN/TIN BISMUTH
附加功能
底部启动区块
HTS代码
8542.32.00.51
子类别
闪存
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
0.5 mm
Reach合规守则
unknown
引脚数量
40
JESD-30代码
R-PDSO-G40
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
3.6 V
电源
3/3.3 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
2.7 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.02 mA
组织结构
1MX8
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
8
待机电流-最大值
0.0001 A
记忆密度
8388608 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
FLASH
编程电压
3 V
耐力
100000 Write/Erase Cycles
数据轮询
YES
拨动位
YES
命令用户界面
YES
扇区/尺寸数
1,2,1,15
行业规模
16K,8K,32K,64K
准备就绪/忙碌
YES
引导模块
BOTTOM
长度
18.4 mm
宽度
10 mm
M29W008EB70N6E拓展信息







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