STMicroelectronics M29W160EB70N6E
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M29W160EB70N6E
2381-M29W160EB70N6E
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1MX16 FLASH 3V PROM, 70ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
--最小包装量--
M29W160EB70N6E详情
STMicroelectronics M29W160EB70N6E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
表面安装
YES
引脚数
48
终端数量
48
RoHS
Compliant
Memory Types
NOR
Package Description
TSSOP, TSSOP48,.8,20
Package Style
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
Number of Words Code
1000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
TSSOP48,.8,20
Operating Temperature-Min
-40 °C
Reflow Temperature-Max (s)
30
Access Time-Max
70 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
M29W160EB70N6E
Number of Words
1048576 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3 V
Package Code
TSSOP
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Micron Technology Inc
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
MICRON TECHNOLOGY INC
Risk Rank
7.56
Part Package Code
TSOP
包装
Bulk
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
类型
NOR型号
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
最高工作温度
85 °C
最小工作温度
-40 °C
附加功能
底部启动区块
HTS代码
8542.32.00.51
子类别
闪存
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
0.5 mm
Reach合规守则
compliant
频率
70 GHz
引脚数量
48
JESD-30代码
R-PDSO-G48
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
3.6 V
电源
3/3.3 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
2.7 V
界面
Parallel
最大电源电压
3.6 V
最小电源电压
2.7 V
内存大小
2 MB
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.02 mA
访问时间
70 ns
数据总线宽度
16 b
组织结构
1MX16
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
16
待机电流-最大值
0.0001 A
记忆密度
16777216 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
FLASH
编程电压
3 V
备用内存宽度
8
数据轮询
YES
拨动位
YES
命令用户界面
YES
扇区/尺寸数
1,2,1,31
行业规模
16K,8K,32K,64K
准备就绪/忙碌
YES
引导模块
BOTTOM
通用闪存接口
YES
宽度
18.4 mm
高度
1 mm
长度
12 mm
达到SVHC
无SVHC
无铅
无铅
M29W160EB70N6E拓展信息
STMicroelectronics
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