STMicroelectronics M29W800DB70ZE6E
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M29W800DB70ZE6E
2381-M29W800DB70ZE6E
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512KX16 FLASH 3V PROM, 70ns, PBGA48, 6 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-48
1最小包装量--
M29W800DB70ZE6E详情
STMicroelectronics M29W800DB70ZE6E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
48
Package Description
6 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TFBGA-48
Package Style
GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
Number of Words Code
512000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
BGA48,6X8,32
Operating Temperature-Min
-40 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
70 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
M29W800DB70ZE6E
Number of Words
524288 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3 V
Package Code
TFBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Numonyx内存解决方案
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
NUMONYX
Risk Rank
5.1
Part Package Code
BGA
JESD-609代码
e1
ECCN 代码
EAR99
类型
NOR型号
附加功能
底部启动区块
HTS代码
8542.32.00.51
子类别
闪存
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
compliant
引脚数量
48
JESD-30代码
R-PBGA-B48
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
3.6 V
电源
3/3.3 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
2.7 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.02 mA
组织结构
512KX16
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
16
待机电流-最大值
0.0001 A
记忆密度
8388608 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
FLASH
编程电压
3 V
备用内存宽度
8
数据轮询
YES
拨动位
YES
命令用户界面
YES
扇区/尺寸数
1,2,1,15
行业规模
16K,8K,32K,64K
准备就绪/忙碌
YES
引导模块
BOTTOM
通用闪存接口
YES
宽度
6 mm
长度
8 mm
M29W800DB70ZE6E拓展信息
STMicroelectronics
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