STMicroelectronics M30LW128D110N1F
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M30LW128D110N1F
2381-M30LW128D110N1F
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14 X 20 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-56
1最小包装量--
M30LW128D110N1F详情
STMicroelectronics M30LW128D110N1F重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
触点镀层
Gold
安装类型
电缆安装
表面安装
YES
终端数量
56
Body Orientation
Straight
Termination Method
Crimp
Contact Materials
Brass
Cable Types
Coaxial
Package Description
14 X 20 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-56
Package Style
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
Number of Words Code
8000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
TSSOP56,.8,20
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
110 ns
Operating Temperature-Max
70 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
M30LW128D110N1F
Number of Words
8388608 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3 V
Package Code
TSSOP
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
STMicroelectronics
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
STMICROELECTRONICS
Risk Rank
5.49
Part Package Code
TSOP
ECCN 代码
3A991.B.1.A
类型
NOR型号
性别
Male
HTS代码
8542.32.00.51
子类别
闪存
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
0.5 mm
Reach合规守则
compliant
引脚数量
56
JESD-30代码
R-PDSO-G56
资历状况
不合格
工作频率
DC to 6GHz
电源电压-最大值(Vsup)
3.6 V
电源
3/3.3 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
2.7 V
阻抗
50Ω
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.03 mA
组织结构
8MX16
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
16
大小
Standard
待机电流-最大值
0.00008 A
记忆密度
134217728 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
FLASH MODULE
编程电压
3.3 V
备用内存宽度
8
数据轮询
NO
拨动位
NO
命令用户界面
YES
扇区/尺寸数
128
行业规模
128K
页面尺寸
4/8 words
准备就绪/忙碌
YES
通用闪存接口
YES
宽度
14 mm
长度
18.4 mm
M30LW128D110N1F拓展信息







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