STMicroelectronics M36W832TE70ZA6
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M36W832TE70ZA6
2381-M36W832TE70ZA6
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MIXED MEMORY, FLASH SRAM, 66 Pin, Plastic, BGA
--最小包装量--
M36W832TE70ZA6详情
STMicroelectronics M36W832TE70ZA6重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
66
Package Description
12 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LFBGA-66
Package Style
GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
Number of Words Code
2000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
BGA66,8X12,32
Operating Temperature-Min
-40 °C
Access Time-Max
70 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
M36W832TE70ZA6
Number of Words
2097152 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3 V
Package Code
LFBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
STMicroelectronics
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
STMICROELECTRONICS
Risk Rank
7.6
Part Package Code
BGA
JESD-609代码
e0
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
SRAM IS ORGANISED AS 512K X 16
HTS代码
8542.32.00.71
子类别
其他存储器集成电路
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
66
JESD-30代码
R-PBGA-B66
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
3.6 V
电源
3 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
2.7 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.02 mA
组织结构
2MX16
座位高度-最大
1.4 mm
内存宽度
16
待机电流-最大值
0.00002 A
记忆密度
33554432 bit
内存IC类型
存储器电路
混合内存类型
FLASH+SRAM
宽度
8 mm
长度
12 mm
M36W832TE70ZA6拓展信息







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