STMicroelectronics M58WR064EB70ZB6T
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M58WR064EB70ZB6T
2381-M58WR064EB70ZB6T
存储器
56-VFBGA
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IC FLASH 64M PARALLEL 56VFBGA
1最小包装量--
M58WR064EB70ZB6T详情
STMicroelectronics M58WR064EB70ZB6T重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
56-VFBGA
表面安装
YES
引脚数
56
Memory Types
Non-Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e0
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
56
ECCN 代码
3A991.B.1.A
端子表面处理
Tin/Lead (Sn63Pb37)
附加功能
可进行同步突发模式操作
HTS代码
8542.32.00.51
电压 - 供电
1.65V~2.2V
端子位置
BOTTOM
功能数量
1
电源电压
1.8V
端子间距
0.75mm
Reach合规守则
not_compliant
基本部件号
M58WR
引脚数量
56
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
2.2V
电源
1.8/21.8/3V
电源电压-最小值(Vsup)
1.7V
内存大小
64Mb 4M x 16
操作模式
ASYNCHRONOUS
时钟频率
66MHz
内存格式
FLASH
内存接口
Parallel
数据总线宽度
16b
组织结构
4MX16
内存宽度
16
写入周期时间 - 字符、页面
70ns
待机电流-最大值
0.000005A
记忆密度
67108864 bit
访问时间(最大)
70 ns
编程电压
1.8V
数据轮询
NO
拨动位
NO
命令用户界面
YES
扇区/尺寸数
8127
行业规模
4K32K
页面尺寸
4words
引导模块
BOTTOM
通用闪存接口
YES
长度
9mm
座位高度(最大)
1mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
M58WR064EB70ZB6T拓展信息
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