STMicroelectronics M59DR008E 120N6
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M59DR008E 120N6
2381-M59DR008E 120N6
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M59DR008E 120N6详情
STMicroelectronics M59DR008E 120N6重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
48
RoHS
Non-Compliant
Package Description
12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
Package Style
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
Number of Words Code
512000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-40 °C
Access Time-Max
120 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
M59DR008E120N6
Number of Words
524288 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
Package Code
TSOP1
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Numonyx内存解决方案
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
NUMONYX
Risk Rank
5.83
Part Package Code
TSOP
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
类型
NOR型号
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
HTS代码
8542.32.00.51
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
功能数量
1
端子间距
0.5 mm
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
48
JESD-30代码
R-PDSO-G48
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
2.2 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
1.65 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
组织结构
512KX16
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
16
记忆密度
8388608 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
FLASH
编程电压
1.8 V
引导模块
TOP
宽度
12 mm
长度
18.4 mm
M59DR008E 120N6拓展信息







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