STMicroelectronics M68AW512DN55ZB6
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M68AW512DN55ZB6
2381-M68AW512DN55ZB6
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512K X 16 STANDARD SRAM, 55 ns, PBGA48
1最小包装量--
M68AW512DN55ZB6详情
STMicroelectronics M68AW512DN55ZB6重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
48
Maximum Operating Temperature
+ 235 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
50
Mounting Styles
PCB 安装
Manufacturer
Xicon
Brand
Xicon
RoHS
Details
Package Description
6 X 7 MM, 0.75 MM PITCH, TFBGA-48
Package Style
GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
Number of Words Code
512000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
BGA48,6X8,30
Operating Temperature-Min
-40 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
55 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
M68AW512DN55ZB6
Number of Words
524288 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3 V
Package Code
TFBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
STMICROELECTRONICS
Risk Rank
5.82
Part Package Code
BGA
系列
MO-RC
包装
Bulk
容差
5 %
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
3A991.B.2.A
温度系数
350 PPM / C
电阻
330 Ohms
端子表面处理
锡铅
HTS代码
8542.32.00.41
子类别
Resistors
额定功率
5 W
技术
金属氧化物
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
0.75 mm
Reach合规守则
compliant
引脚数量
48
终端样式
Axial
JESD-30代码
R-PBGA-B48
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
3.6 V
电源
3/3.3 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
2.7 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.02 mA
组织结构
512KX16
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
16
产品类别
金属氧化物电阻器
工作温度范围
- 55 C to + 235 C
待机电流-最大值
0.00003 A
记忆密度
8388608 bit
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
标准SRAM
待机电压-最小值
1.5 V
产品
金属氧化膜电阻器
特征
-
产品类别
金属氧化物电阻器
长度
25 mm
直径
8 mm
宽度
6 mm
M68AW512DN55ZB6拓展信息







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