STMicroelectronics M76DW52003TA70Z
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M76DW52003TA70Z
2381-M76DW52003TA70Z
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8 X 11.60 MM, 0.80 MM PITCH, LFBGA-73
1最小包装量--
M76DW52003TA70Z详情
STMicroelectronics M76DW52003TA70Z重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
73
Package Description
8 X 11.60 MM, 0.80 MM PITCH, LFBGA-73
Package Style
GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
Number of Words Code
2000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
BGA73,10X12,32
Operating Temperature-Min
-40 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
70 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
M76DW52003TA70Z
Number of Words
2097152 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3 V
Package Code
LFBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
STMicroelectronics
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
STMICROELECTRONICS
Risk Rank
5.84
Part Package Code
BGA
JESD-609代码
e0
端子表面处理
锡铅
附加功能
STATIC RAM IS ORGANIZED AS 256K X 16; FLASH MEMORY IS ALSO ORGANIZED AS 4M X 8
HTS代码
8542.32.00.71
子类别
其他存储器集成电路
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
compliant
引脚数量
73
JESD-30代码
R-PBGA-B73
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
3.6 V
电源
3,3/3.3 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
2.7 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.02 mA
组织结构
2MX16
座位高度-最大
1.4 mm
内存宽度
16
待机电流-最大值
0.0001 A
记忆密度
33554432 bit
内存IC类型
存储器电路
混合内存类型
FLASH+SRAM
宽度
8 mm
长度
11.6 mm
M76DW52003TA70Z拓展信息







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