STMicroelectronics M95640-WMN3G/PB

底架

通孔

表面安装

YES

终端数量

8

Voltage, Rating

50 V

Voltage Rating (DC)

50 V

RoHS

Compliant

Package Description

SOP, SOP8,.25

Package Style

小概要

Risk Rank

5.09

Part Package Code

SOIC

Ihs Manufacturer

STMICROELECTRONICS

Part Life Cycle Code

Obsolete

Manufacturer

STMicroelectronics

Package Shape

RECTANGULAR

Package Code

SOP

Number of Words

8192 words

Clock Frequency-Max (fCLK)

5 MHz

Manufacturer Part Number

M95640-WMN3G/PB

Rohs Code

有

Operating Temperature-Max

125 °C

Reflow Temperature-Max (s)

40

Operating Temperature-Min

-40 °C

Package Equivalence Code

SOP8,.25

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Number of Words Code

8000

Moisture Sensitivity Levels

1

包装

Bulk

容差

1 %

JESD-609代码

e4

无铅代码

有

终端

Radial

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

最高工作温度

125 °C

最小工作温度

-55 °C

HTS代码

8542.32.00.51

电容量

3.9 nF

子类别

EEPROMs

技术

CMOS

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

端子间距

1.27 mm

深度

3.175 mm

Reach合规守则

compliant

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-G8

资历状况

不合格

螺纹距离

5.08 mm

电介质

C0G

电源电压-最大值(Vsup)

5.5 V

电源

3/5 V

温度等级

AUTOMOTIVE

电源电压-最小值(Vsup)

2.5 V

铅直径

508 µm

操作模式

SYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.003 mA

引线/基座样式

Kinked

组织结构

8KX8

座位高度-最大

1.75 mm

内存宽度

8

待机电流-最大值

0.000002 A

记忆密度

65536 bit

并行/串行

SERIAL

内存IC类型

EEPROM

串行总线类型

SPI

耐力

1000000 Write/Erase Cycles

写入周期时间 - 最大值

5 ms

数据保持时间

40

写入保护

HARDWARE/SOFTWARE

宽度

5.08 mm

高度

5.08 mm

长度

5.08 mm

座位高度(最大)

7.62 mm

器件厚度

3.17 mm