STMicroelectronics MJD32BT4
- 收藏
- 对比
MJD32BT4
2381-MJD32BT4
无类别的
--
大陆
立即发货

Bipolar Junction Transistor, PNP Type, TO-252
--最小包装量--
MJD32BT4详情
STMicroelectronics MJD32BT4重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
形状
Round
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
包装数量
1000
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
MJD32BT4
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
STMicroelectronics
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
STMICROELECTRONICS
Risk Rank
5.59
Part Package Code
TO-252AA
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
类型
平垫圈
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
颜色
Natural
子类别
其他晶体管
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
配置
SINGLE
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
PNP
JEDEC-95代码
TO-252AA
最大耗散功率(Abs)
15 W
集电极电流-最大值(IC)
3 A
最小直流增益(hFE)
10
集电极-发射器电压-最大值
80 V
VCEsat-最大值
1.2 V
环境耗散-最大值
15 W
MJD32BT4拓展信息







哦! 它是空的。