STMicroelectronics MK41H80N-20
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MK41H80N-20
2381-MK41H80N-20
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4KX4 CACHE TAG SRAM, 20ns, PDIP22, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-22
1最小包装量--
MK41H80N-20详情
STMicroelectronics MK41H80N-20重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
22
Package Description
0.300 INCH, PLASTIC, DIP-22
Package Style
IN-LINE
Number of Words Code
4000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
DIP22,.3
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
20 ns
Operating Temperature-Max
70 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
MK41H80N-20
Number of Words
4096 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
Package Code
DIP
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
STMicroelectronics
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
STMICROELECTRONICS
Risk Rank
5.87
Part Package Code
DIP
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
HTS代码
8542.32.00.41
子类别
SRAMs
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
2.54 mm
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
22
JESD-30代码
R-PDIP-T22
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
电源
5 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
4.5 V
端口的数量
1
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.12 mA
组织结构
4KX4
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
5.334 mm
内存宽度
4
待机电流-最大值
0.12 A
记忆密度
16384 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
CACHE TAG SRAM
输出启用
YES
混合内存类型
N/A
宽度
7.62 mm
长度
26.289 mm
MK41H80N-20拓展信息







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