STMicroelectronics NAND01GW3B2BN6F
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NAND01GW3B2BN6F
2381-NAND01GW3B2BN6F
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1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory
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NAND01GW3B2BN6F详情
STMicroelectronics NAND01GW3B2BN6F重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
Case/Package
TSOP
Memory Types
NAND
RoHS
Compliant
最高工作温度
85 °C
最小工作温度
-40 °C
界面
Parallel
最大电源电压
3.6 V
最小电源电压
2.7 V
内存大小
128 MB
数据总线宽度
8 b
NAND01GW3B2BN6F拓展信息








哦! 它是空的。