STMicroelectronics NAND01GW3B2CN6
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NAND01GW3B2CN6
2381-NAND01GW3B2CN6
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128MX8 FLASH 3V PROM, 35ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
--最小包装量--
NAND01GW3B2CN6详情
STMicroelectronics NAND01GW3B2CN6重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
48
Package Description
TSOP1,
Package Style
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
Number of Words Code
128000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-40 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
35 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
NAND01GW3B2CN6
Number of Words
134217728 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3 V
Package Code
TSOP1
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
STMicroelectronics
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
STMICROELECTRONICS
Risk Rank
5.07
Part Package Code
TSOP
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
3A991.B.1.A
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
HTS代码
8542.32.00.51
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
0.5 mm
Reach合规守则
compliant
引脚数量
48
JESD-30代码
R-PDSO-G48
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
3.6 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
2.7 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
组织结构
128MX8
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
8
记忆密度
1073741824 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
FLASH
编程电压
3 V
宽度
12 mm
长度
18.4 mm
NAND01GW3B2CN6拓展信息







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